سامسونگ در حال توسعه سه گونه تخصصی از حافظه Z-NAND با نام های Z-NAND-O، Z-NAND-T و Z-NAND-I است که هرکدام برای بارهای کاری متفاوت در زیرساخت هوش مصنوعی طراحی شده اند.
ZDNet این روند توسعه را گزارش کرده و به ماکت Z-NAND-O اشاره کرده است که در ماه اوت، در یک رویداد صنعت حافظه در آمریکا به نمایش درآمد. گزارش اصلی در ۱۲ اکتبر ۲۰۲۶ منتشر شد و نام مین جون کیم به عنوان نویسنده آن ذکر شده بود.
Z-NAND-O از فناوری گذرگاه از میان سیلیکون (TSV) استفاده می کند تا تراشه های NAND را به صورت عمودی در چهار یا هشت لایه روی هم قرار دهد. به گفته سامسونگ، هدف Z-NAND-O بهبود سرعت انتقال داده و بهره وری انرژی برای هوش مصنوعی روی دستگاه در موبایل و دیگر دستگاه های متصل است.
Z-NAND-T بر توان عملیاتی و پهنای باند تمرکز دارد و مراکز داده هوش مصنوعی با کارایی بالا را هدف قرار می دهد که باید حجم زیادی از داده را به شکلی کارآمد جابه جا کنند.
Z-NAND-I اولویت را به عملیات ورودی و خروجی در هر ثانیه می دهد، شاخصی که نشان می دهد حافظه تا چه اندازه می تواند عملیات خواندن و نوشتن جداگانه را مدیریت کند.
سامسونگ هنوز فهرست کامل این سه گونه، مشخصات فنی یا زمان بندی عرضه آن ها را به طور رسمی اعلام نکرده است.
این رویکرد سه بخشی نشان می دهد سامسونگ قصد دارد فناوری NAND را به جای تکیه بر یک طراحی واحد، متناسب با بارهای کاری مشخص در هوش مصنوعی بهینه کند.
SK Hynix نیز راهبرد مشابهی را دنبال می کند و خانواده AI-NAND را با سه شاخه AIN P برای کارایی، AIN D برای چگالی ذخیره سازی و AIN B برای پهنای باند توسعه می دهد.
با گسترش زیرساخت های هوش مصنوعی، حافظه NAND سفارشی می تواند در کنار حافظه و ذخیره سازی متعارف، اهمیت روزافزونی پیدا کند.
نظر بگذارید
نظرات
هنوز نظری ثبت نشده. اولین نفر باشید.