سامسونگ با درخواست انویدیا موافقت کرده است تا بخشی از حافظه پهن‌باند بالای سفارشی این شرکت، یعنی اچ‌بی‌ام 4ای که با نام ان‌وی‌اچ‌بی‌ام عرضه می‌شود، با استفاده از فرایند ۳ نانومتری تی‌اس‌ام‌سی تولید شود.
دامنه درخواست انویدیا و نقش ان‌وی‌اچ‌بی‌ام
انویدیا از سه تامین‌کننده اصلی حافظه اچ‌بی‌ام خود خواسته است بخش‌هایی از اجزای حافظه را با لیتوگرافی ۳ نانومتری تی‌اس‌ام‌سی تولید کنند. هدف اعلام‌شده این درخواست، تضمین عملکرد یکنواخت و ساده‌سازی اعتبارسنجی میان تامین‌کنندگان است. تراشه‌های مورد بحث، نمونه‌های سفارشی اچ‌بی‌ام 4ای هستند که انویدیا آن‌ها را با برند ان‌وی‌اچ‌بی‌ام معرفی می‌کند و برای استفاده در زیرساخت هوش مصنوعی این شرکت در نظر گرفته شده‌اند.
- مایکرون
- اس‌کی هاینیکس
- سامسونگ
تقسیم تولید ویفر و فرایند داخلی سامسونگ
در حالی که بخشی از ساخت ویفر برای ان‌وی‌اچ‌بی‌ام به فرایند ۳ نانومتری تی‌اس‌ام‌سی سپرده می‌شود، بخش‌های دیگری از پشته‌های حافظه در کارخانه‌های خود سامسونگ و با لیتوگرافی نسل ششم این شرکت، موسوم به فرایند ۱سی، تولید خواهند شد. سامسونگ پیش‌تر در زمینه بسته‌بندی تراشه با تی‌اس‌ام‌سی همکاری کرده بود، اما واگذاری تولید ویفر حافظه طراحی‌شده توسط سامسونگ به تی‌اس‌ام‌سی، در تاریخ تولید این شرکت بی‌سابقه است.
نظر بگذارید
نظرات
هنوز نظری ثبت نشده. اولین نفر باشید.